как определить лавинный пробой

 

 

 

 

Лавинный пробой возникает в широком электронно-дырочном переходе.И вновь созданные носители снова ускоряются полем и также отрывают другие электроны. Процесс происходит лавинообразно. Однако при превышении определенного уровня U обратный ток реального р-п перехода быстро увеличивается, т. е. наступает пробой.В относительно широких р-n переходах при обратных напряжениях больше 15 В возникает лавинный пробой, механизм которого заключается в Показано, что задержка лавинного пробоя позволяет определять параметры глубоких центров, локализованных в микроплазменных каналах pn-переходов, что невозможно определить другими методами. Ключевые слова: микроплазменный пробой, задержка лавинного пробоя Лавинный пробой. В основе этого вида пробоя лежит эффект лавинного размножения носителей в толще р-n-перехода.В определенных случаях поверхностный заряд приводит к сужению запорного слоя у поверхности и увеличению в приповерхностной области Способность выдерживать лавинный пробой. Параметры лавинного процесса HEXFET Ill. Ключевым вопросом, определяющим отличие надежного мощного МОП ПТ от ненадежного, является его способность выдерживать лавинный пробой. В электротехнике и электронике потенциал определяют как работу, совершаемую силами поля по переносу единичного положительного заряда.Ранее явлением Зенера ошибочно объясняли и те процессы при пробое перехода, в основе которых лежал лавинный пробой. Лавинный пробой происходит следующим образом. Неосновные носители, попадающие в область объемного заряда, ускоряются полем перехода и при движении сталкиваются с кристаллической решеткой. При определенных напряженностях внешнего поля носители Лавинный пробой — электрический пробой в диэлектриках и полупроводниках, обусловленный тем, что, разгоняясь в сильномПри этом нарастание числа участвующих в ударной ионизации носителей заряда происходит лавинообразно, отсюда произошло название пробоя. Лавинный пробой p-n-перехода в задачах радиотехники. Вероятности включения и выключения микроплазмы в единицу времени.Для того чтобы определить величину коэффициента лавинного умножения, необходимо знать кон-кретные параметры p-n-перехода Схема, иллюстрирующая лавинный пробой в однородном полупроводнике [27, 10]: а) распределение электрического поля, доноров и акцепторовОдним из параметров лавинного пробоя является коэффициент лавинного умножения M, определяемый как количество актов Лавинный пробой в полупроводниках. Рассмотрим случай однородного электрического поля в полупроводнике.Одним из параметров лавинного пробоя является коэффициент лавинного умножения M, определяемый как количество актов лавинного умножения в области сильного Лавинный пробой перехода это электрический пробой, вызванный лавинным размножением носителей заряда под действием(6.

86). Коэффициент лавинного пробоя можно определить из эмпирической формулы. (6.87). где - постоянный коэффициент для данного полупроводника. Параметром, характеризующим лавинный пробой, является коэффициент лавинного умножения M , определяемый как количество актов лавинного умножения в области сильного электрического поля. 1. Лавинный пробой р-п-перехода При обратном смещении р-п-перехода через него протекает ток, обусловленный тепловой генерацией неосновныхШирину обедненной области при пробое диффузионного р-п-перехода можно приближенно определить как среднее между шириной Лавинный пробой относится к электрическому виду пробоя и проявляется в p-n переходах средней величины, то есть ширина p-n перехода достаточна большая. При увеличении значения обратного напряжения на Оглавление Введение 1. Лавинный пробой 1.1. Вольт-амперная характеристика р-п-перехода в области.

лавинного пробоя 1.2.Ширину обедненной области при пробое диффузионного р-п-перехода. можно приближенно определить как среднее между шириной резкого и. В зависимости от физических явлений, приводящих к пробою, различают лавинный, туннельный и тепловой пробои.В производственных условиях пробивное напряжение диода определяют значением обратного напряжения, вызывающего пробой выпрямляющего Лавинный пробой относится к электрическому виду пробоя и проявляется в p-n переходах средней величины, то есть ширина p-n перехода достаточна большая. При увеличении значения обратного напряжения на Лавинный пробой р-n перехода. При возрастании обратного напряжения электрическое поле в ОПЗ p-n перехода может достигнуть такой величины, что подвижные носители на длинеНапряжение лавинного пробоя определяют по полуэмпирической формуле. (2.1.3). Аналогичным образом мы можем определить Мр для дырок как у (0) Л/уДи, где дырки входят в область в точке и> и покидают ее в точке 0. Рисунок 6.Ь.1 иллюстрирует явление лавинного пробоя. Лавинный пробой электрический пробой в диэлектриках и полупроводниках, связанный с тем, что в сильном электрическом поле носители заряда могут приобретать энергию, достаточную для ударной ионизации атомов или молекул материала. Схема, иллюстрирующая лавинный пробой в однородном полупроводнике [27, 10]Одним из параметров лавинного пробоя является коэффициент лавинного умножения M, определяемый как количество актов лавинного умножения в области сильного Таким образом, теория Роговского характеризует лавинный пробой как переход от состояния неустойчивого режима ( 11 в точке Р,) к устойчивому режиму ([д.1 в точке Р . При этом переходе имеет место коренная перестройка пространственных зарядов. [c.249]. Лавинный пробой инициируется сильным электрическим полем, им обладают полупроводники с p-n-переходом с большой толщиной.значение 175оС) в длительном (номинальном) режиме и режиме форсировки при частоте 500 Гц необходимо принимать определенные меры. Лавинный пробой связан с образованием лавины носителей заряда под действием сильного электрического поля (но меньшем чем при туннельном пробое) при котором носители приобретают энергии, достаточные для образования новых Лавинный пробой p n перехода это пробой, вызванный лавинным размножением носителей заряда под действием сильного электрического поля.Процесс развивается лавинообразно, что и отражает название пробоя. Лавинный пробой — электрический пробой в диэлектриках и полупроводниках, обусловленный тем, что, разгоняясь в сильном электрическом поле на расстоянии свободного пробега, носители заряда могут приобретать кинетическую энергию Лавинный пробой электрический пробой p-n-перехода, вызванный лавинным размножением носителей заряда под действием сильного электрического поля.При достижении определенной напряженности электрического поля они приобретают достаточную энергию Лавинный пробой — электрический пробой в диэлектриках и полупроводниках, обусловленный тем, что, разгоняясь в сильномПри этом нарастание числа участвующих в ударной ионизации носителей заряда происходит лавинообразно, отсюда произошло название пробоя. Лавинный пробой транзистора, Транзистор в лавинном режиме, Лавинный пробой транзистора 01, Работа транзистора при лавинном пробое на примере мигалки, Лавинный режим, разборка схемы Виктора Вик Лавинный пробой транзистора 03 Лавинный пробой вызывается ударной ионизацией: неосновные носители, образующие I0, ускоряются приложенным напряжением настолько, что при их соударении с атомами кристаллической решетки происходит ионизация атомов. Коэффициент можно определить из эмпирического выражения. где — напряжение, при котором возникает лавинный пробой и для для .В итоге ток через -переход лавинообразно увеличивается и наступает тепловой пробой (3 на рис.

2.11, б). Представлены результаты исследования фрактальных свойств микроплазменного шума при лавинном пробое светодиода видимого диапазона спектра (длина волны 660 700 нм). Определен вид пробоя p n -перехода в результате измерений вольт-амперных характеристик Лавинный пробой имеет место в переходах с большими удельными сопротивлениями базы («высокоомная база»), т.е. в p-n-переходе с широким переходом. Тепловой пробой характеризуется сильным увеличением тока в области Поэтому если вы ищите, как определить ложный пробой уровня, то воспользуйтесь приведенными выше методами. Они вам очень помогут чувствовать себя уверенно на бирже. Лавинный пробой вызывается лавинным размножением носителей заряда под действием сильного электрического поля. При движении в сильном электрическом поле в p-n -переходе энергия электронов существенно превышает энергию теплового движения kТ. Лавинный пробой p-n перехода не приводит к разрушению полупроводниковой структуры, если обратный ток ограничен наличием внешней цепи. Лавинный пробой. Дата добавления: 2015-07-23 просмотров: 326 Нарушение авторских прав. Резкий рост тока, показанный на рис. 1.9, связан с лавинным увеличением количества носителей в обратно включенном p-n- переходе. Лавинный пробой — электрический пробой в диэлектриках и полупроводниках, обусловленный тем, что, разгоняясь в сильном электрическом поле на расстоянии свободного пробега, носители заряда могут приобретать кинетическую энергию Для кремния относительный температурный коэффициент напряжения лавинного пробоя составляет примерно 0 1 / С. Параметры, определяющие лавинный пробой. Лавинный пробой. January 19, 2012 by admin Комментировать ».Рис. 1.12. Характеристика диода, смешенного в обратном направлении, с типичным лавинным пробоем. Емкость перехода и варикапы. Лавинный пробой. Резкое уменьшение омического сопротивления ПП в сильном (напряженностью 10-100 МВ/м) электрическом поле. Ускоренные этим полем носители заряда при столкновении с атомами ПП вызывают их ионизацию (ударная ионизация), что приводит к Различают три основных механизма пробоя: связанный с лавинным размножением носителей заряда в запирающем слое - лавинный пробой, обусловленный туннельным эффектом - туннельный пробой и определяемый выделением тепловой энергии Лавинный пробой в p-n-переходе при обратном смещении. Слева — схема развития пр.При этом нарастание числа участвующих в ударной ионизации носителей заряда происходит лавинообразно, отсюда произошло название пробоя. Лавинный пробой — электрический пробой в диэлектриках и полупроводниках, обусловленный тем, что, разгоняясь в сильном электрическом поле на расстоянии свободного пробега, носители заряда могут приобретать кинетическую энергию Схема, иллюстрирующая лавинный пробой в однородном полупроводнике [27, 10]Одним из параметров лавинного пробоя является коэффициент лавинного умножения M, определяемый как количество актов лавинного умножения в области сильного Пробоем p-n перехода называется явление резкого увеличения обратного тока при достижении обратным напряжением определенного критического значения.Лавинный пробой заключается в том, что под действием сильного электрического поля неосновные носители В температурном диапазоне 100220 K обнаружено четыре глубоких уровня, и определены их параметры.Лавинный пробой реальных pn-переходов сильно локализован и имеет микроплазменный характер. Лавинный пробой (ударная ионизация) является наиболее важным механизмом пробоя p-n-перехода. Напряжение лавинного пробоя определяет верхний предел обратного напряжения большинства диодов. В диодах с высоколегированной базой при выполнении неравенства наблюдается туннельный пробой. В реальных кремниевых приборах при напряжении пробоя происходит только лавинный пробой.

Новое на сайте:


2018